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CY7C09089V-6AXC

CY7C09089V-6AXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C09089V-6AXC
PNEDA Teilenummer CY7C09089V-6AXC
Beschreibung IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.410
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C09089V-6AXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C09089V-6AXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C09089V-6AXC, CY7C09089V-6AXC Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 592,51 KB)
PDFCY7C09089V-12AXI Datenblatt Cover
CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 2 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 3 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 4 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 5 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 6 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 7 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 8 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 9 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 10 CY7C09089V-12AXI Datenblatt Seite 11

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CY7C09089V-6AXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße512Kb (64K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit6.5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x14)

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EPROM - UV

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.5ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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S29GL01GS10DHI013

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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