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CY7C024A-25JXC

CY7C024A-25JXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C024A-25JXC
PNEDA Teilenummer CY7C024A-25JXC
Beschreibung IC SRAM 64K PARALLEL 84PLCC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.122
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CY7C024A-25JXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C024A-25JXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C024A-25JXC, CY7C024A-25JXC Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 529,95 KB)
PDFCY7C025-25AC Datenblatt Cover
CY7C025-25AC Datenblatt Seite 2 CY7C025-25AC Datenblatt Seite 3 CY7C025-25AC Datenblatt Seite 4 CY7C025-25AC Datenblatt Seite 5 CY7C025-25AC Datenblatt Seite 6 CY7C025-25AC Datenblatt Seite 7 CY7C025-25AC Datenblatt Seite 8 CY7C025-25AC Datenblatt Seite 9 CY7C025-25AC Datenblatt Seite 10 CY7C025-25AC Datenblatt Seite 11

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CY7C024A-25JXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße64Kb (4K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket84-PLCC (29.31x29.31)

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Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

90ns

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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