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CY62256LL-70SNXCT

CY62256LL-70SNXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY62256LL-70SNXCT
PNEDA Teilenummer CY62256LL-70SNXCT
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 9.702
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CY62256LL-70SNXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY62256LL-70SNXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY62256LL-70SNXCT, CY62256LL-70SNXCT Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 323,67 KB)
PDFCY62256LL-70ZXIT Datenblatt Cover
CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 2 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 3 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 4 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 5 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 6 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 7 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 8 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 9 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 10 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 11

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CY62256LL-70SNXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOIC

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT46H32M16LFBF-6 AT:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-VFBGA

Lieferantengerätepaket

60-VFBGA (8x9)

AS4C8M32S-7TCNTR

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

86-TSOP II

IS42S16160B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-LFBGA

Lieferantengerätepaket

54-LFBGA (8x13)

CY7C1460KVE33-167AXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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