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CY15E064J-SXAT

CY15E064J-SXAT

Nur als Referenz

Teilenummer CY15E064J-SXAT
PNEDA Teilenummer CY15E064J-SXAT
Beschreibung IC FRAM 64K I2C 1MHZ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY15E064J-SXAT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY15E064J-SXAT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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CY15E064J-SXAT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieAutomotive, AEC-Q100, F-RAM™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFRAM
TechnologieFRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1ms

Zugriffszeit

400ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

71256SA15PZGI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

28-TSOP

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, MoBL

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

40ns

Zugriffszeit

40ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-VFBGA

Lieferantengerätepaket

100-VFBGA (6x6)

CY7C2564XV18-366BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

366MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

500µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 90°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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