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CY14B256K-SP35XC

CY14B256K-SP35XC

Nur als Referenz

Teilenummer CY14B256K-SP35XC
PNEDA Teilenummer CY14B256K-SP35XC
Beschreibung IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.160
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY14B256K-SP35XC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY14B256K-SP35XC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY14B256K-SP35XC, CY14B256K-SP35XC Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 790,72 KB)
PDFCY14B256K-SP25XC Datenblatt Cover
CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 2 CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 3 CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 4 CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 5 CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 6 CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 7 CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 8 CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 9 CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 10 CY14B256K-SP25XC Datenblatt Seite 11

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CY14B256K-SP35XC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite35ns
Zugriffszeit35ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.45V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket48-SSOP

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-BQFP

Lieferantengerätepaket

52-PQFP (10x10)

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Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

40-DIP Module (0.610", 15.495mm)

Lieferantengerätepaket

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70V9099L9PFI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

9ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

MT41DCHA-V80A:E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT46V16M16TG-5B:MTR

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

66-TSOP II

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