CY14B104NA-BA25XIT
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY14B104NA-BA25XIT |
| PNEDA Teilenummer | CY14B104NA-BA25XIT |
| Beschreibung | IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.250 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY14B104NA-BA25XIT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY14B104NA-BA25XIT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY14B104NA-BA25XIT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | NVSRAM |
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-FBGA (6x10) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 32Kb (4K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 5MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-DIP-T |
