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CY14B101K-SP45XCT

CY14B101K-SP45XCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY14B101K-SP45XCT
PNEDA Teilenummer CY14B101K-SP45XCT
Beschreibung IC NVSRAM 1M PARALLEL 48SSOP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.410
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY14B101K-SP45XCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY14B101K-SP45XCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY14B101K-SP45XCT, CY14B101K-SP45XCT Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 1.768,25 KB)
PDFCY14B101K-SP25XI Datenblatt Cover
CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 2 CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 3 CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 4 CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 5 CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 6 CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 7 CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 8 CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 9 CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 10 CY14B101K-SP25XI Datenblatt Seite 11

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CY14B101K-SP45XCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket48-SSOP

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Speichertyp

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

32Gb (1G x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

2133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

200-VFBGA

Lieferantengerätepaket

200-VFBGA (10x14.5)

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Everspin Technologies Inc.

Hersteller

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-LFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (10x10)

BQ4010YMA-150

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

150ns

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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