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CURMT105-HF

CURMT105-HF

Nur als Referenz

Teilenummer CURMT105-HF
PNEDA Teilenummer CURMT105-HF
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123H
Hersteller Comchip Technology
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CURMT105-HF Ressourcen

Marke Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCURMT105-HF
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
CURMT105-HF, CURMT105-HF Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 95,81 KB)
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CURMT105-HF Technische Daten

HerstellerComchip Technology
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)75ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.70pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123H
LieferantengerätepaketSOD-123H
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.67V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220-2 Full Pack

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

VS-HFA180NH40PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

395A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 360A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-67 HALF-PAK

Lieferantengerätepaket

D-67

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

CD1408-R11000

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Chip, Concave Terminals

Lieferantengerätepaket

1408

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

BAT60BE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

10V

Current - Average Rectified (Io)

3A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 8V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOD323-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

DFLS230LQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

76pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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