CTLDM8120-M832DS BK
Nur als Referenz
| Teilenummer | CTLDM8120-M832DS BK |
| PNEDA Teilenummer | CTLDM8120-M832DS-BK |
| Beschreibung | MOSFET DUAL N-CHANNEL |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.718 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CTLDM8120-M832DS BK Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CTLDM8120-M832DS BK |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
CTLDM8120-M832DS BK, CTLDM8120-M832DS BK Datenblatt
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CTLDM8120-M832DS BK Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 860mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
| Leistung - max | 1.65W |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | TLM832DS |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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