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CTLDM7120-M621H TR

CTLDM7120-M621H TR

Nur als Referenz

Teilenummer CTLDM7120-M621H TR
PNEDA Teilenummer CTLDM7120-M621H-TR
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 1A
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 6.048
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CTLDM7120-M621H TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCTLDM7120-M621H TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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CTLDM7120-M621H TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.6W (Ta)
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTLM621H
Paket / Fall6-XFDFN Exposed Pad

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

15W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK/TP

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FCPF13N60NT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

258mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

33.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

C3M™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.4nC @ 15V

Vgs (Max)

+18V, -8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 600V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

FDMS86500DC

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Dual Cool™, PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Ta), 108A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7680pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1710pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

144W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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