CSD87503Q3ET
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| Teilenummer | CSD87503Q3ET |
| PNEDA Teilenummer | CSD87503Q3ET |
| Beschreibung | 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.796 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD87503Q3ET Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD87503Q3ET |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD87503Q3ET Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 15V |
| Leistung - max | 15.6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSON (3.3x3.3) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A, 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
