CSD87331Q3D
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| Teilenummer | CSD87331Q3D |
| PNEDA Teilenummer | CSD87331Q3D |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 227.310 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD87331Q3D Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD87331Q3D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD87331Q3D Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V, 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 518pF @ 15V |
| Leistung - max | 6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-LSON (5x6) |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A, 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
