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CSD87330Q3D

CSD87330Q3D

Nur als Referenz

Teilenummer CSD87330Q3D
PNEDA Teilenummer CSD87330Q3D
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Hersteller Texas Instruments
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CSD87330Q3D Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCSD87330Q3D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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CSD87330Q3D Technische Daten

Hersteller
SerieNexFET™
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 15V
Leistung - max6W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerLDFN
Lieferantengerätepaket8-LSON (3.3x3.3)

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

Leistung - max

1.96W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerLDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8 (Type D)

MMDF1N05ER2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

APTM50DHM35G

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

99A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 49.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Leistung - max

781W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

2N7002DW

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

115mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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