CSD86330Q3D
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Teilenummer | CSD86330Q3D | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | CSD86330Q3D | ||||||||||||||||||
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | ||||||||||||||||||
Hersteller | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 6.998 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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CSD86330Q3D Ressourcen
Marke | Texas Instruments |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | CSD86330Q3D |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD86330Q3D Technische Daten
Hersteller | |
Serie | NexFET™ |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 14A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
Leistung - max | 6W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-LSON (3.3x3.3) |
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