CSD25301W1015
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| Teilenummer | CSD25301W1015 |
| PNEDA Teilenummer | CSD25301W1015 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.002 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD25301W1015 Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD25301W1015 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD25301W1015 Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Paket / Fall | 6-UFBGA, DSBGA |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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