CSD23202W10
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| Teilenummer | CSD23202W10 |
| PNEDA Teilenummer | CSD23202W10 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.367.952 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD23202W10 Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD23202W10 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD23202W10 Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 6V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 4-DSBGA (1x1) |
| Paket / Fall | 4-UFBGA, DSBGA |
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