CSD22206WT
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| Teilenummer | CSD22206WT |
| PNEDA Teilenummer | CSD22206WT |
| Beschreibung | MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 47.196 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD22206WT Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD22206WT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD22206WT Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2275pF @ 4V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 9-DSBGA (1.5x1.5) |
| Paket / Fall | 9-UFBGA, DSBGA |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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