CSD19533Q5A
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| Teilenummer | CSD19533Q5A |
| PNEDA Teilenummer | CSD19533Q5A |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 91.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD19533Q5A Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD19533Q5A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD19533Q5A Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2670pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 96W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSONP (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 980pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK/TP-FA Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 128pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-563/SCH6 Paket / Fall SOT-563, SOT-666 |
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