CSD17551Q5A
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| Teilenummer | CSD17551Q5A |
| PNEDA Teilenummer | CSD17551Q5A |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 8SON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 309.876 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD17551Q5A Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD17551Q5A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD17551Q5A Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 48A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1272pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSONP (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 400mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-WLCSP (2x2) Paket / Fall 4-XFBGA, WLCSP |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 93µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2075pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 158W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 24A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V Vgs (Max) +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 12.5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
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