CSD16342Q5A
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| Teilenummer | CSD16342Q5A |
| PNEDA Teilenummer | CSD16342Q5A |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.612 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD16342Q5A Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD16342Q5A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CSD16342Q5A Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 20A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 12.5V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSONP (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVI-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DP Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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