CRH01(TE85L,Q,M)
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| Teilenummer | CRH01(TE85L,Q,M) |
| PNEDA Teilenummer | CRH01-TE85L-Q-M |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.056.204 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CRH01(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CRH01(TE85L,Q,M) |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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CRH01(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-123F |
| Lieferantengerätepaket | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 750ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -50°C ~ 150°C |
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