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CRG02(TE85L,Q,M)

CRG02(TE85L,Q,M)

Nur als Referenz

Teilenummer CRG02(TE85L,Q,M)
PNEDA Teilenummer CRG02-TE85L-Q-M
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 700MA SFLAT
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 7.488
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CRG02(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCRG02(TE85L,Q,M)
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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CRG02(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)700mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 700mA
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123F
LieferantengerätepaketS-FLAT (1.6x3.5)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

250pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CR3F-060GPP BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

PMEG4010ESBZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

610mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.9ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

22pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-XDFN

Lieferantengerätepaket

DSN1006-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

1N914-T50A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

BY229X-400HE3/45

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.85V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

145ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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