CPH6443-TL-H
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| Teilenummer | CPH6443-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | CPH6443-TL-H |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.822 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CPH6443-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CPH6443-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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CPH6443-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 35V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-CPH |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
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