CPH3360-TL-W
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| Teilenummer | CPH3360-TL-W |
| PNEDA Teilenummer | CPH3360-TL-W |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.186 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CPH3360-TL-W Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CPH3360-TL-W |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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CPH3360-TL-W Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 303mOhm @ 800mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 82pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 900mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-CPH |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 773pF @ 100V FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) 92W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
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