CPD65-BAV45-CT
Nur als Referenz
| Teilenummer | CPD65-BAV45-CT |
| PNEDA Teilenummer | CPD65-BAV45-CT |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 20V 50MA DIE |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.118 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 27 - Mär 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CPD65-BAV45-CT Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CPD65-BAV45-CT |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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CPD65-BAV45-CT Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
| Current - Average Rectified (Io) | 50mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 600ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5pA @ 5V |
| Kapazität @ Vr, F. | 1.3pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 125°C |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 240A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 240A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket D-67 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2200V Current - Average Rectified (Io) 400A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 800A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 9µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 2200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AA, A-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AA, R62 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 1230A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.063V @ 800A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 1600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AA, A-PUK Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
