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CPC5603CTR

CPC5603CTR

Nur als Referenz

Teilenummer CPC5603CTR
PNEDA Teilenummer CPC5603CTR
Beschreibung MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
Hersteller IXYS Integrated Circuits Division
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CPC5603CTR Ressourcen

Marke IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCPC5603CTR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
CPC5603CTR, CPC5603CTR Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 106,9 KB)
PDFCPC5603CTR Datenblatt Cover
CPC5603CTR Datenblatt Seite 2 CPC5603CTR Datenblatt Seite 3 CPC5603CTR Datenblatt Seite 4 CPC5603CTR Datenblatt Seite 5

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CPC5603CTR Technische Daten

HerstellerIXYS Integrated Circuits Division
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)415V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-0.35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm @ 50mA, 350mV
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-FunktionDepletion Mode
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

62A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 15V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

103nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

543W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PLUS-220SMD

Paket / Fall

PLUS-220SMD

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

316pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1835pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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