CPC3960ZTR
Nur als Referenz
| Teilenummer | CPC3960ZTR |
| PNEDA Teilenummer | CPC3960ZTR |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V SOT-223 |
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.044 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CPC3960ZTR Ressourcen
| Marke | IXYS Integrated Circuits Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CPC3960ZTR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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CPC3960ZTR Technische Daten
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44Ohm @ 100mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2980pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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