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CNY17F1TVM

CNY17F1TVM

Nur als Referenz

Teilenummer CNY17F1TVM
PNEDA Teilenummer CNY17F1TVM
Beschreibung OPTOISO 4.17KV TRANS 6DIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 22.644
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CNY17F1TVM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCNY17F1TVM
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
CNY17F1TVM, CNY17F1TVM Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 402,58 KB)
PDFCNY17F4TM Datenblatt Cover
CNY17F4TM Datenblatt Seite 2 CNY17F4TM Datenblatt Seite 3 CNY17F4TM Datenblatt Seite 4 CNY17F4TM Datenblatt Seite 5 CNY17F4TM Datenblatt Seite 6 CNY17F4TM Datenblatt Seite 7 CNY17F4TM Datenblatt Seite 8 CNY17F4TM Datenblatt Seite 9 CNY17F4TM Datenblatt Seite 10 CNY17F4TM Datenblatt Seite 11

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CNY17F1TVM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation4170Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)40% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)80% @ 10mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)2µs, 3µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)4µs, 3.5µs (Max)
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)70V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.35V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.400", 10.16mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

15% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

22% @ 16mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

200ns, 600ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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8-DIP

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

21% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

200ns, 300ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

MCT2ES

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

1.1µs, 50µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

TLP759(LF1,J,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

200ns, 300ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.65V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

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Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

160% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

320% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

7µs, 5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4.2µs, 4.7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

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