CNX35U3SD
Nur als Referenz
| Teilenummer | CNX35U3SD |
| PNEDA Teilenummer | CNX35U3SD |
| Beschreibung | OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.590 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CNX35U3SD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CNX35U3SD |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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CNX35U3SD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5300Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 40% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | 160% @ 10mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 20µs, 20µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.15V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 100mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
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Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 300% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3µs Eingabetyp AC, DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -30°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
