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CMUSH2-4 TR

CMUSH2-4 TR

Nur als Referenz

Teilenummer CMUSH2-4 TR
PNEDA Teilenummer CMUSH2-4-TR
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT523
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 27.504
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CMUSH2-4 TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCMUSH2-4 TR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
CMUSH2-4 TR, CMUSH2-4 TR Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 635,78 KB)
PDFCMUSH2-4S TR Datenblatt Cover
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CMUSH2-4 TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If750mV @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)5ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 25V
Kapazität @ Vr, F.10pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-89, SOT-490
LieferantengerätepaketSOT-523
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

100A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 50A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

1970pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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150KR20A

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Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.33V @ 150A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

35mA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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1N5282TR

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 55V

Kapazität @ Vr, F.

2.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

980mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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