CMUDM8005 TR
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| Teilenummer | CMUDM8005 TR |
| PNEDA Teilenummer | CMUDM8005-TR |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.438 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CMUDM8005 TR Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CMUDM8005 TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CMUDM8005 TR Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 650mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 350mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 16V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 300mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
| Paket / Fall | SOT-523 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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