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CMPF5485 TR

CMPF5485 TR

Nur als Referenz

Teilenummer CMPF5485 TR
PNEDA Teilenummer CMPF5485-TR
Beschreibung JFET N-CH 25V 10MA SOT23
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 7.794
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CMPF5485 TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCMPF5485 TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
CMPF5485 TR, CMPF5485 TR Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 404,12 KB)
PDFCMPF5485 TR Datenblatt Cover
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CMPF5485 TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)25V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)4mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max30mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id500mV @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5µA @ 1200V

Stromaufnahme (Id) - max

26A

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 19.5V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

100 mOhms

Leistung - max

190W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

750mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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Hersteller

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Serie

Military, MIL-PRF-19500/385

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 0.5nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18 (TO-206AA)

J177_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

300 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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TO-92-3

2N4118A-E3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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