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CMPD6001S TR

CMPD6001S TR

Nur als Referenz

Teilenummer CMPD6001S TR
PNEDA Teilenummer CMPD6001S-TR
Beschreibung DIODE ARRAY GP 75V 250MA SOT23
Hersteller Central Semiconductor Corp
Stückpreis
1 ---------- $5,0638
250 ---------- $4,8264
500 ---------- $4,5891
1.000 ---------- $4,3517
2.500 ---------- $4,1539
5.000 ---------- $3,9561
Auf Lager 3.555
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CMPD6001S TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCMPD6001S TR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
CMPD6001S TR, CMPD6001S TR Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 981,74 KB)
PDFCMPD6001S BK Datenblatt Cover
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CMPD6001S TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 100mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr500pA @ 75V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

MURTA20040

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Three Tower

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

MMBD4448HSDW-7-G

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

320mV @ 2mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 500mV

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59-3

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