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CMF20120D

CMF20120D

Nur als Referenz

Teilenummer CMF20120D
PNEDA Teilenummer CMF20120D
Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 7.776
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CMF20120D Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCMF20120D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
CMF20120D, CMF20120D Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 791,25 KB)
PDFCMF20120D Datenblatt Cover
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CMF20120D Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
SerieZ-FET™
FET-TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90.8nC @ 20V
Vgs (Max)+25V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1915pF @ 800V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)215W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 135°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 155W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STD6N90K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ K5

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.9W (Ta), 198W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4870pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

142A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7750pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

380W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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