CM100DUS-12F
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| Teilenummer | CM100DUS-12F |
| PNEDA Teilenummer | CM100DUS-12F |
| Beschreibung | IGBT MOD DUAL 600V 100A F SER |
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.862 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CM100DUS-12F Ressourcen
| Marke | Powerex Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CM100DUS-12F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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CM100DUS-12F Technische Daten
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Serie | IGBTMOD™ |
| IGBT-Typ | Trench |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 350W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 27nF @ 10V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600A Leistung - max 4545W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 60nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Three Level Inverter - IGBT, FET Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Leistung - max 280W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.77nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 64A Leistung - max 284W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.24nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ISOTOP Lieferantengerätepaket ISOTOP® |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 650nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
