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CLS03(TE16L,PCD,Q)

CLS03(TE16L,PCD,Q)

Nur als Referenz

Teilenummer CLS03(TE16L,PCD,Q)
PNEDA Teilenummer CLS03-TE16L-PCD-Q
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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CLS03(TE16L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCLS03(TE16L,PCD,Q)
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
CLS03(TE16L, CLS03(TE16L Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 218,92 KB)
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CLS03(TE16L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Current - Average Rectified (Io)10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If0.58V @ 10A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 60V
Kapazität @ Vr, F.345pF @ 10V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallL-FLAT™
LieferantengerätepaketL-FLAT™ (4x5.5)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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1400V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

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Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

MicroSMP

Lieferantengerätepaket

MicroSMP

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SK18-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AA, HSMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1.7A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

175pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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DO-214AC (SMA)

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