CG8333AMT
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| Teilenummer | CG8333AMT |
| PNEDA Teilenummer | CG8333AMT |
| Beschreibung | IC SRAM |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.946 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CG8333AMT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CG8333AMT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CG8333AMT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | * |
| Speichertyp | - |
| Speicherformat | - |
| Technologie | - |
| Speichergröße | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 550ns Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 7ns Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-VFBGA Lieferantengerätepaket 90-VFBGA (8x13) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP |
