CG8304AAT
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| Teilenummer | CG8304AAT |
| PNEDA Teilenummer | CG8304AAT |
| Beschreibung | IC SRAM MICROPOWER 44TSOP II |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.852 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CG8304AAT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CG8304AAT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CG8304AAT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | * |
| Speichertyp | - |
| Speicherformat | - |
| Technologie | - |
| Speichergröße | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x10) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße 72Mb (4M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-LFBGA (15x17) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 1Mb (264 Bytes x 512 pages) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 15MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 14-TSSOP |
