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CFRMT101-HF

CFRMT101-HF

Nur als Referenz

Teilenummer CFRMT101-HF
PNEDA Teilenummer CFRMT101-HF
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123H
Hersteller Comchip Technology
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CFRMT101-HF Ressourcen

Marke Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCFRMT101-HF
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
CFRMT101-HF, CFRMT101-HF Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 94,82 KB)
PDFCFRMT106-HF Datenblatt Cover
CFRMT106-HF Datenblatt Seite 2 CFRMT106-HF Datenblatt Seite 3 CFRMT106-HF Datenblatt Seite 4

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CFRMT101-HF Technische Daten

HerstellerComchip Technology
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)1A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)150ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.15pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123H
LieferantengerätepaketSOD-123H
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

440mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

900µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

32pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0402 (1005 Metric)

Lieferantengerätepaket

0402 (1005 Metric)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

RF 1B

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Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

600mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

CLH03(TE16L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

L-FLAT™

Lieferantengerätepaket

L-FLAT™ (4x5.5)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1.8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

44pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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