CEDM8001 BK
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| Teilenummer | CEDM8001 BK |
| PNEDA Teilenummer | CEDM8001-BK |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.020 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CEDM8001 BK Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CEDM8001 BK |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CEDM8001 BK Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.66nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 3V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-883 |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 110W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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