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CDBMTS150-HF

CDBMTS150-HF

Nur als Referenz

Teilenummer CDBMTS150-HF
PNEDA Teilenummer CDBMTS150-HF
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 50V 1A SOD123S
Hersteller Comchip Technology
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Auf Lager 6.264
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CDBMTS150-HF Ressourcen

Marke Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCDBMTS150-HF
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
CDBMTS150-HF, CDBMTS150-HF Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 68,81 KB)
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CDBMTS150-HF Technische Daten

HerstellerComchip Technology
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)1A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If700mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.120pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123S
LieferantengerätepaketSOD-123S
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

490mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

19ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

900µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

610pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

CFP15

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

JANTX1N5614

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Hersteller

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Serie

Military, MIL-PRF-19500/427

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

GB01SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 1A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

69pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

S2B M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYV38-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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