CDBJFSC101200-G
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| Teilenummer | CDBJFSC101200-G |
| PNEDA Teilenummer | CDBJFSC101200-G |
| Beschreibung | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
| Hersteller | Comchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.960 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 3 - Apr 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CDBJFSC101200-G Ressourcen
| Marke | Comchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CDBJFSC101200-G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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CDBJFSC101200-G Technische Daten
| Hersteller | Comchip Technology |
| Serie | - |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 780pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall B, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/585 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 440V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 440V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 630mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.37ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 80µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 22pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 0201 (0603 Metric) Lieferantengerätepaket DSN0603-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Powermite®3 Lieferantengerätepaket Powermite 3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 8pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
