CBS10S30,L3F
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| Teilenummer | CBS10S30,L3F |
| PNEDA Teilenummer | CBS10S30-L3F |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 19 - Mär 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CBS10S30 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CBS10S30,L3F |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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CBS10S30 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500µA @ 30V |
| Kapazität @ Vr, F. | 135pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 2-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | CST2B |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 125°C (Max) |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 860mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
