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CBR1U-D020S

CBR1U-D020S

Nur als Referenz

Teilenummer CBR1U-D020S
PNEDA Teilenummer CBR1U-D020S
Beschreibung BRIDGE RECT 1P 200V 1A 4SMDIP
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 8.676
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CBR1U-D020S Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCBR1U-D020S
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
CBR1U-D020S, CBR1U-D020S Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 549,67 KB)
PDFCBR1U-D020S Datenblatt Cover
CBR1U-D020S Datenblatt Seite 2 CBR1U-D020S Datenblatt Seite 3 CBR1U-D020S Datenblatt Seite 4

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CBR1U-D020S Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)200V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.05V @ 1A
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 200V
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket4-SMDIP

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBP

Lieferantengerätepaket

KBP

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3.14A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 165°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBPM

Lieferantengerätepaket

KBPM

TS10P02G C2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, TS-6P

Lieferantengerätepaket

TS-6P

DB152G

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Lieferantengerätepaket

DB

GBJ25005

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

GBJ

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