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CAV25512YE-GT3

CAV25512YE-GT3

Nur als Referenz

Teilenummer CAV25512YE-GT3
PNEDA Teilenummer CAV25512YE-GT3
Beschreibung IC EEPROM 512K SPI 10MHZ 8TSSOP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.722
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CAV25512YE-GT3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAV25512YE-GT3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAV25512YE-GT3, CAV25512YE-GT3 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 297,44 KB)
PDFCAV25512YE-GT3 Datenblatt Cover
CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 2 CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 3 CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 4 CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 5 CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 6 CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 7 CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 8 CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 9 CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 10 CAV25512YE-GT3 Datenblatt Seite 11

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CAV25512YE-GT3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße512Kb (64K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz10MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-WFBGA

Lieferantengerätepaket

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CY7C009-15AXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

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Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (2K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

93LC76CT-E/SN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

S99-50249 P

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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