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CAV24C32YE-GT3

CAV24C32YE-GT3

Nur als Referenz

Teilenummer CAV24C32YE-GT3
PNEDA Teilenummer CAV24C32YE-GT3
Beschreibung IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.928
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CAV24C32YE-GT3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAV24C32YE-GT3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAV24C32YE-GT3, CAV24C32YE-GT3 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 306,28 KB)
PDFCAV24C32C4CTR Datenblatt Cover
CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 2 CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 3 CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 4 CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 5 CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 6 CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 7 CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 8 CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 9 CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 10 CAV24C32C4CTR Datenblatt Seite 11

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CAV24C32YE-GT3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße32Kb (4K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz400kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit900ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

36-EDIP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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