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CAT24C512C8UTR

CAT24C512C8UTR

Nur als Referenz

Teilenummer CAT24C512C8UTR
PNEDA Teilenummer CAT24C512C8UTR
Beschreibung 512KB I2C SER EEPROM CSP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.318
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CAT24C512C8UTR Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAT24C512C8UTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAT24C512C8UTR, CAT24C512C8UTR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 94 KB)
PDFCAT24C512C8UTR Datenblatt Cover
CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 2 CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 3 CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 4 CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 5 CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 6 CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 7 CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 8 CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 9 CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 10 CAT24C512C8UTR Datenblatt Seite 11

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CAT24C512C8UTR Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
Technologie-
Speichergröße512Kb (64K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit400ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UFBGA, WLCSP
Lieferantengerätepaket8-WLCSP (1.39x1.65)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.65V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

32Gb (4G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-VBGA

Lieferantengerätepaket

100-VBGA (12x18)

DS1245YP-100

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

34-PowerCap™ Module

Lieferantengerätepaket

34-PowerCap Module

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

Speichergröße

4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS42S86400B-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

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