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CAT24C256ZD2IGT2

CAT24C256ZD2IGT2

Nur als Referenz

Teilenummer CAT24C256ZD2IGT2
PNEDA Teilenummer CAT24C256ZD2IGT2
Beschreibung IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TDFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.276
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CAT24C256ZD2IGT2 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAT24C256ZD2IGT2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAT24C256ZD2IGT2, CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 370,02 KB)
PDFCAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Cover
CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 2 CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 3 CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 4 CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 5 CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 6 CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 7 CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 8 CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 9 CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 10 CAT24C256ZD2IGT2 Datenblatt Seite 11

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CAT24C256ZD2IGT2 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit500ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-TDFN (2x3)

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Hersteller

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Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

48Gb (768M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.6ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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