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C4D10120H

C4D10120H

Nur als Referenz

Teilenummer C4D10120H
PNEDA Teilenummer C4D10120H
Beschreibung ZRECTM 10A 1200V SIC SCHOTTKY DI
Hersteller Cree/Wolfspeed
Stückpreis
1 ---------- $78,3580
50 ---------- $74,6850
100 ---------- $71,0120
200 ---------- $67,3389
400 ---------- $64,2781
500 ---------- $61,2172
Auf Lager 21
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C4D10120H Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerC4D10120H
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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C4D10120H Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
SerieZ-Rec®
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)31.5A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.8V @ 10A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr250µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.754pF @ 0V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-2
LieferantengerätepaketTO-247-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 700mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.45V @ 20A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

1250pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-247-2 (Straight Leads)

Lieferantengerätepaket

DO-247

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

MBRS1035HMNG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SF38G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

HS5D V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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