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C3M0120090D

C3M0120090D

Nur als Referenz

Teilenummer C3M0120090D
PNEDA Teilenummer C3M0120090D
Beschreibung 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 23.154
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

C3M0120090D Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerC3M0120090D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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C3M0120090D Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
SerieC3M™
FET-TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.3nC @ 15V
Vgs (Max)+18V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 600V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)97W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

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RUU002N05T106

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

UMT3

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

BSP123E6327T

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

370mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 370mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.79W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

STP75NF75

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

NTTFS4965NFTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.3A (Ta), 64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29.4nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2075pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

SIS862DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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