C3M0120090D
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| Teilenummer | C3M0120090D |
| PNEDA Teilenummer | C3M0120090D |
| Beschreibung | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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C3M0120090D Ressourcen
| Marke | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | C3M0120090D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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C3M0120090D Technische Daten
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Serie | C3M™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 15A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 97W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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